晶圓材料等離子火焰處理機是必不可少的設(shè)備，那應(yīng)該選哪種型號：
       半導體晶圓清洗可分濕法和干式工藝，CRF等離子火焰處理機清洗屬于干法式，而晶圓表面的污染物是要在顯微鏡和放大鏡下才能看到，需要等離子轟擊才能清理干凈。那么晶圓的清潔應(yīng)選用哪類設(shè)備？CRF真空等離子火焰處理機值得首選。
        等離子火焰處理機工藝的過程是：先將晶圓放入真空腔內(nèi)，然后用干泵抽真空，在達到預(yù)設(shè)的真空度后通入反應(yīng)氣體，這些反應(yīng)氣體被電離形成等離子體與晶片表面進行化學和物理反應(yīng)，產(chǎn)生揮發(fā)物，將晶圓表面處理干凈，使其保持親水狀態(tài)。那用來清洗晶片的等離子體清洗設(shè)備在選擇時應(yīng)該注意哪些地方呢？

一、空腔及支架的要求
       等離子體清洗晶圓在千級以上的無塵室中進行，對晶圓的要求非常高，如果晶圓出現(xiàn)任何不合格的晶圓，就會導致無法修復的缺陷。因此設(shè)計等離子體清洗設(shè)備的空腔首先必須是鋁，而非不銹鋼；放置晶片的支架滑動部，要盡量采用不容易產(chǎn)生灰塵和等離子腐蝕的材料；電極和支架便拆掉，方便日常維護。
二、電極間距和層數(shù)，以及對氣路分布的要求：
等離子體清洗設(shè)備反應(yīng)腔內(nèi)電極間距、層數(shù)、氣路分布等參數(shù)對晶圓加工均勻性有重要影響，這些指標需要不斷試驗優(yōu)化。
三、電極板的溫度要求
       等離子化清洗過程中，會產(chǎn)生一定的熱量積累，在工藝需要時，必須保持電極板在一定的溫度范圍內(nèi)，因此一般都會給等離子清洗就的電極加水冷卻。
四、擺放小技巧
       多層式等離子火焰處理機的生產(chǎn)能力較高，可按需在每層支架上放置多片晶片，比較適用于半導體分立器件、電力電子元件專用4寸、6寸晶片的光刻底膜清除等。
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