講述CRFplasma設(shè)備技術(shù)應(yīng)用在提升材料的絕緣性能的背景:
       目前已經(jīng)在國家(際)間開展的GIL項目中，通常選用降低(低)運行電壓以提高絕緣裕度的方法，直流電±500kV絕緣金屬封閉電力開關(guān)在阿南換流站長期性減壓在±250kV，施耐德企業(yè)選用550kVGIS、八百kVGIS構(gòu)成的直流電GIS，達(dá)到±500kVGIS長周期工作。用較高的絕熱余量保證直流電氣體絕緣設(shè)備的安(全)運行，不但使設(shè)備體積增大，而且經(jīng)濟(jì)效益較差，不利于GIL大規(guī)模推廣。CRFplasma設(shè)備也因此有它存在的必要。

       GIL的絕緣氣體絕緣電纜(sf6氣體或sf6氣體選用N2混合氣等。與傳統(tǒng)的架空線路和電力電纜相比，GIL具有輸送容量大、電磁輻射低、傳輸損耗小、節(jié)省空間等諸多優(yōu)點。在很多方面需要用到CRFplasma設(shè)備。
       隨著西電東送“大氣污染防治計劃”等一系列特高壓重(點)工程的開工建設(shè)，對遠(yuǎn)距離的輸電設(shè)備提出了更高的要求，而傳統(tǒng)的架空輸電線路在垂直落差高度大、跨越江河等地理環(huán)境惡劣及地質(zhì)條件復(fù)雜的情況下不僅無法施工建設(shè)且難以長期性安(全)穩(wěn)定運行，GIL因受氣象、地質(zhì)條件制約小，安裝布置靈活，在工程建設(shè)中具有重要的意義。
        在DCGIL中，腔體內(nèi)的復(fù)合絕緣子與氣體界面之間存在表面電荷積狀況。由于DC電壓下電場方向保持不變，表面電荷難以消散，大量積累的電荷會導(dǎo)致復(fù)合絕緣子附近的電場畸變，導(dǎo)致復(fù)合絕緣子放電，甚至沿表面閃絡(luò)，嚴(yán)重威脅DCGIL設(shè)備的安全（全）穩(wěn)定運行，因此有CRFplasma設(shè)備解決這一問題。